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SiA917DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
6
4
V GS = 5 thru 3 V
2.5 V
2V
5
4
3
2
T C = 125 °C
2
0
1.5 V
1
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.30
V DS - D r a i n - t o - S o u r c e V o l t a g e ( V )
Output Characteristics
400
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.25
300
0.20
0.15
0.10
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
200
C iss
0.05
100
C rss
C oss
0.00
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 3.3 A
V DS = 10 V
1.4
I D = 2.5 A
V GS = 2.5 V
6
4
2
0
V DS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 70444
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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